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» 型号"BTS409L1 E3062A"的供应信息
BTS409L1 E3062A 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
BTS409L1 E3062A详细规格
类别:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
描述:IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
系列:PROFET®
制造商:Infineon Technologies
类型:高端
输入类型:非反相
输出数:1
导通电阻:160 毫欧
电流_输出/通道:2.3A
电流_峰值输出:7.5A
电压_电源:5 V ~ 34 V
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB
供应商器件封装:P-TO220-5
包装:剪切带 (CT)
BTS409L1 E3062A详细规格
类别:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
描述:IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
系列:PROFET®
制造商:Infineon Technologies
类型:高端
输入类型:非反相
输出数:1
导通电阻:160 毫欧
电流_输出/通道:2.3A
电流_峰值输出:7.5A
电压_电源:5 V ~ 34 V
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB
供应商器件封装:P-TO220-5
包装:带卷 (TR)
BTS409L1 E3062A详细规格
类别:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
描述:IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
系列:PROFET®
制造商:Infineon Technologies
类型:高端
输入类型:非反相
输出数:1
导通电阻:160 毫欧
电流_输出/通道:2.3A
电流_峰值输出:7.5A
电压_电源:5 V ~ 34 V
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB
供应商器件封装:P-TO220-5
包装:Digi-Reel®
BTS409L1 E3062A供应商
BTS409L1 E3062A
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
0512-67241533
BTS409L1 E3062A
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
BTS409L1 E3062A
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
BTS409L1 E3062A
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
BTS409L1 E3062A
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507209
BTS409L1 E3062A
深圳信泰电子器材有限公司
0755-83242658
BTS409L1 E3062A
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
BTS409L1 E3062A
深圳市翔哲科技有限公司
18026926850/0
BTS409L1 E3062A
深圳市格雷迪电子有限公司
15914072177
BTS409L1 E3062A
深圳市昌和盛利电子有限公司
0755-83679110
BTS409L1 E3062A
上海传泽电子科技有限公司
13381567868
BTS409L1 E3062A
深圳市诚达吉电子有限公司
0755-82716764
BTS409L1 E3062A
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
BTS409L1 E3062A
卓越创新(深圳)实业有限公司
18938855484
BTS409L1 E3062A
深圳市煦洪科技有限公司
18823461028
BTS409L1 E3062A
深圳市昭兴微电子有限公司
0755-23991909
查看更多BTS409L1 E3062A的供应商
C0805C820J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 100V 5% NP0 0805
C2012X5R0G476M
陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805
C3216X7R1E105M/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
BTS3408G
PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SWITCH LOW SIDE DUAL PDSO-8
C1005C0G1H4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402
BSZ100N06LS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
BH2DW
电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 8-PowerVDFN HOLDER BATT 2-D 6" WIRE LEADS
C2012X5R0J106K/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805
C0805C820J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 200V 5% NP0 0805
C1005C0G1H4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402
BH2N
电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 0402(1005 公制) HOLDER BATTERY 2-N CELLS PC MNT
BSZ130N03LS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
C2012X5R0J156M/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 15UF 6.3V 20% X5R 0805
C3216X7R1E106K/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 82PF 50V 5% NP0 0805
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